【思锐智能】思锐智能立足ALD+IMP，为高速发展的第三代半导体新周期注入新动力

2024行家说第三代半导体年会圆满落幕，行业内上下游主流企业，针对SiC材料、技术、工艺、设备等关键技术难题和应用挑战，共同探讨新周期中产业高速发展的新方法、新策略和新思路。青岛四方思锐智能技术有限公司副总经理陈祥龙发表了以“打造第三代半导体制造关键设备—原子层沉积和离子注入”为主题的演讲。

同时，思锐智能荣获“第三代半导体年度设备企业”行家极光奖。这一荣誉不仅彰显了公司在ALD+IMP的双主线战略指导下，科技创新的卓越表现，更是对其推动产业转型升级和赋能新质生产力的高度认可。

在过去的几年中，思锐智能专注于原子层沉积（ALD）和离子注入（IMP）两大核心装备，通过不断丰富产品矩阵，坚持拓宽技术路线，在巩固集成电路应用的同时，积极把握第三代半导体的战略机遇期。特别在SiC功率半导体领域，思锐智能与欧洲顶尖科研机构合作，为SiC半导体器件的量产增效按下加速键。

目前，SiC行业的竞争进入白热化阶段，各大厂商积极扩大产能，SiC器件也逐步从平面向沟槽结构过渡。而沟槽结构对栅氧的界面质量和可靠性要求更为严格。传统热氧化方法存在诸多局限性，例如在3D结构上难以实现均匀的厚度和良好的电学性能。思锐智能通过ALD技术，提升栅氧的电学特性，优化界面态，击穿特性和漏电特性，进一步提升沟槽栅器件的可靠性和迁移率，以匹配更小尺寸SiC器件的研发和生产。与此同时，即便是在平面结构下，ALD技术同样能有效改善界面质量，进而增强迁移率，为器件性能的进一步提升提供了有效的解决方案。Transform是一款专为SiC/GaN等功率器件、Micro-OLED、MEMS等制造商及晶圆厂设计的原子层沉积平台，具备等离子体和热法批量功能，原位预清洁功能，适用叠层薄膜工艺，可为3″至8″晶圆表面沉积多种材料，并实现完全保形和高均匀性的薄膜沉积。Transform 适用于功率器件、Micro-OLED、MEMS和光电子等应用思锐智能 Transform系列已获得全球主要头部客户的认可，相继在欧洲、北美、日本、中国大陆和台湾等地与客户开展合作研发，并积极推动与国内厂商的验证工作。

在集成电路制造应用中，离子注入常被用于掺杂工艺。随着先进制程技术的不断开发，半导体设备支出的增加，同时面对降低成本和提高供应链安全的压力，国内晶圆厂有强烈的国产替代需求，这为国产离子注入设备厂商带来了前所未有的机遇。同样在第三代半导体领域，离子注入属于SiC产线难度最高的设备，国产化率极低，且全球设备厂商较少，是SiC晶圆线建设的最大瓶颈环节之一。在此背景下，思锐智能基于成熟稳定的高能机及大束流平台，推出了两款SiC离子注入设备——SRII-4.5M SiC高能离子注入机和SRII-200 SiC中能大束流离子注入机。针对离子注入的工艺难点，思锐智能针对碳化硅离子注入机进行独特设计，采用先进的Al离子源设计，离子源寿命可达300小时。采用射频加速技术，最高能量Al++可达2700KeV，满足客户的注入深度需求。 通过预加热平台设计和高温靶盘，温度可达500℃，解决了SiC难以退火激活问题，同时提升WPH。

此外，为了帮助行业人士较为全面地了解全球碳化硅功率半导体产业的发展状况、关键技术的最新进展，思锐智能参与编写了《2024碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，该白皮书由行家说牵头，37家SiC行业上下游企业共同编写。《2024碳化硅（SiC）产业调研白皮书》已于2024年12月11日，在“行家说第三代半导体年会”上正式发布。思锐智能将持续聚焦ALD+IMP双主线布局，提供具有自主可控的核心关键技术的系统装备产品和技术服务方案，为集成电路和第三代半导体新周期的高速发展注入源源不断的动力。

来源：思锐智能