【新鼎资本研究】国家芯片产业基金投资项目之二——硅产业集团

上海硅产业集团作为中国大陆规模最大的半导体硅片企业之一，硅产业集团紧跟国际前沿技术，打破了我国300mm半导体硅片国产化率几乎为0%的局面，推进了我国半导体关键材料生产技术“自主可控”的进程。硅产业集团主要从事半导体硅片的研发、生产和销售，是生产集成电路、分立器件等半导体产品的关键材料，也是中国半导体产业链较为薄弱的环节。

一直依靠政府补助

随着国家对集成电路重视程度提高，2015年，国盛集团、产业投资基金等发起成立了硅产业集团。因此，硅产业集团是一家典型的控股型公司，自身没有什么实际业务，而其实业主要来自于上海新昇、新傲科技、Okmetic三家业内较为有名的子公司。客户包括了格罗方德、中芯国际、华虹宏力、华力微电子、华润微电子、长江存储、恩智浦、意法半导体等芯片制造企业。

公司及控股子公司已获授权专利300多项，公司拥有发明专利273项。控股子公司获得国家科技进步一等奖，中科院杰出科技成就奖，承担了7项“02专项”项目。

支撑着硅产业集团的核心子公司虽然各有优势，但仍有很多问题存在。成立于2014年的上海新昇，填补了中国大陆300mm半导体硅片产业化空白的，目前是国内唯一一家能供应300mm半导体硅片的企业；成立于2001年的新傲科技是中国大陆唯一具有Smart-Cut生产技术的企业；1985年成立的老牌硅晶圆生产商Okmetic在半导体硅片行业有着三十年的历史。

上海新昇和新傲科技在技术上有一定实力，但市场竞争力仍稍逊一筹。上海新昇于2016 年 10 月成功拉出第一根300mm 单晶硅锭，2017年打通了 300mm 半导体硅片全工艺流程，2018 年实现了 300mm 半导体硅片的规模化生产。通过分析硅产业集团的毛利率可知，300mm半导体硅片的毛利率远远低于200mm及以下的半导体硅片。

硅产业集团表示，300mm 半导体硅片则因前期处于量产爬坡阶段，机器设备等固定成本摊销较高，因此虽然营业收入实现增长，但仍出现营业成本大于营业收入的情形。

上海新昇属于300mm 半导体硅片市场新进入者，在技术积累、成本控制、客户关系等方面，与全球前五大龙头企业存在一定差距属于情理之中。硅产业集团在200mm半导体硅片市场，因Okmetic公司的贡献，与2017年相比，2018年硅产业集团的营收同比增长了18.8%。

硅产业集团200mm及以下的半导体硅片（含SOI硅片）产品主要面向射频前端芯片、模拟芯片、先进传感器、汽车电子等高端细分市场，并与多家客户保持了十年以上的稳定合作关系。在200mm领域，硅产业集团主打巩固现有客户、拓展新客户的销售策略；在300mm领域仍处于市场开拓阶段，因此采取获新策略。

补足半导体薄弱环节，国产替代之路前景可期

硅产业集团差异化的策略能够帮助加快进入市场的步伐，但半导体硅片行业壁垒较高的特性，使得生产企业和主要下游客户较为集中。与此同时，半导体硅片的行业惯例是，下游芯片制造企业引入新的供应商时，通常会要求半导体硅片先行提供部分产品进行试生产认证，待通过芯片制造企业内部及终端客户的认证后，半导体制造企业才会与半导体硅片供应商正式建立商业合作关系。

由于认证周期较长并且认证成本较高，一旦认证通过，芯片制造企业通常不会轻易更换供应商，双方也会就此建立长期、稳固的合作关系。

从未来市场前景看，半导体芯片制造作为半导体硅片的下游市场，90%以上的半导体芯片都需要半导体硅片进行生产。硅产业集团的半导体硅片主要应用在集成电路、传感器与分立器件的生产制造，其具体应用领域主要为模拟芯片、传感器、存储器与逻辑芯片的制造。

通过分析芯片制造产能情况便可以推算半导体硅片的市场量级。2017年至2019年，全球芯片制造产能（折合成200mm)预计将从1985万片/月增长到2136万片/月，年均复合增长率3.73%；中古哦芯片制造茶能从276万片/月增长至338万片/月，年均复合增长率10.66%。尤其，近些年中芯国际、华力微电子、长江存储、华虹宏力等中国大陆芯片制造企业的持续扩产，中国芯片产能不断增长，半导体硅片的需求也将持续增长。

半导体硅片的全球市场集中度持续提升，主要被日本、德国、韩国、中国台湾等国家和地区的知名企业占据。与此同时，Shin-Etsu、SUMCO、Siltronic、环球晶圆、SK Siltron等国际巨头的规模效应日益加强，合计市场份额达90%。与行业前五大巨头相比，硅产业集团规模较小，占全球半导体硅片市场份额2.25%。

由于半导体发展趋势，在相同晶圆面积下填入更多晶体管，势必使线宽逐渐微缩，但尺寸微缩却有限制，其闸极线宽极限约在 3～5nm 间(线宽愈小则电阻值愈大)，使得科学家试图找寻在不微缩线宽尺寸下，如何以相同的制程方式提升元件效率，突破摩尔定律限制，而 SOI(Silicon on Insulator)硅晶绝缘体技术，即为解决方法之一。

所谓 SOI 技术是由 Si 晶圆透过特殊氧化反应，使氧化层(Buried Oxide)形成于 Si 层与 Si 晶圆间，最终产生Si/SiO2(Buried Oxide)/Si Substrate 结构，由于 SOI 的半导体特性(低功耗、高